RS1E280BNTB數據表
![RS1E280BNTB數據表 頁面 1](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/27/rs1e280bntb-0001.webp)
![RS1E280BNTB數據表 頁面 2](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/27/rs1e280bntb-0002.webp)
![RS1E280BNTB數據表 頁面 3](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/27/rs1e280bntb-0003.webp)
![RS1E280BNTB數據表 頁面 4](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/27/rs1e280bntb-0004.webp)
![RS1E280BNTB數據表 頁面 5](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/27/rs1e280bntb-0005.webp)
![RS1E280BNTB數據表 頁面 6](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/27/rs1e280bntb-0006.webp)
![RS1E280BNTB數據表 頁面 7](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/27/rs1e280bntb-0007.webp)
![RS1E280BNTB數據表 頁面 8](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/27/rs1e280bntb-0008.webp)
![RS1E280BNTB數據表 頁面 9](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/27/rs1e280bntb-0009.webp)
![RS1E280BNTB數據表 頁面 10](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/27/rs1e280bntb-0010.webp)
![RS1E280BNTB數據表 頁面 11](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/27/rs1e280bntb-0011.webp)
![RS1E280BNTB數據表 頁面 12](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/27/rs1e280bntb-0012.webp)
![RS1E280BNTB數據表 頁面 13](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/27/rs1e280bntb-0013.webp)
制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 28A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 2.3mOhm @ 28A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 94nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 5100pF @ 15V FET功能 - 功耗(最大值) 3W (Ta), 30W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-HSOP 包裝/箱 8-PowerTDFN |