RN1101ACT(TPL3)數據表
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 80mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2） 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 150mV @ 500µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 100mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-101, SOT-883 供應商設備包裝 CST3 |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 20V 電阻-基本（R1） 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2） 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 150mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 50mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-101, SOT-883 供應商設備包裝 CST3 |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2） 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 100mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-75, SOT-416 供應商設備包裝 SSM |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 47 kOhms 電阻-發射極基（R2） 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 100mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-75, SOT-416 供應商設備包裝 SSM |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 10 kOhms 電阻-發射極基（R2） 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 100mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-75, SOT-416 供應商設備包裝 SSM |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 22 kOhms 電阻-發射極基（R2） 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 70 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 100mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-75, SOT-416 供應商設備包裝 SSM |
