Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

RJK6014DPP-E0#T2數據表

RJK6014DPP-E0#T2數據表
總頁數: 7
大小: 84.46 KB
Renesas Electronics America
此數據表涵蓋了1零件號: RJK6014DPP-E0#T2
RJK6014DPP-E0#T2數據表 頁面 1
RJK6014DPP-E0#T2數據表 頁面 2
RJK6014DPP-E0#T2數據表 頁面 3
RJK6014DPP-E0#T2數據表 頁面 4
RJK6014DPP-E0#T2數據表 頁面 5
RJK6014DPP-E0#T2數據表 頁面 6
RJK6014DPP-E0#T2數據表 頁面 7
RJK6014DPP-E0#T2

Renesas Electronics America

制造商

Renesas Electronics America

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

575mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220FP

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack