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QSH29TR數據表

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Rohm Semiconductor
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QSH29TR

Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

70V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 200mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

-

功率-最大

1.25W

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供應商設備包裝

TSMT6 (SC-95)