QS8M51TR數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 N and P-Channel FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2A, 1.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs 325mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 4.7nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 290pF @ 25V 功率-最大 1.5W 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝 TSMT8 |
