NVTFS6H888NWFTAG數據表
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ON Semiconductor
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NVTFS6H888NWFTAG, NVTFS6H888NTAG
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制造商 ON Semiconductor 系列 * FET類型 - 技術 - 漏極至源極電壓（Vdss） - 電流-25°C時的連續漏極（Id） - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs - Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 - 安裝類型 - 供應商設備包裝 - 包裝/箱 - |
制造商 ON Semiconductor 系列 Automotive, AEC-Q101 FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4.7A (Ta), 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 55mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 15µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 4.7nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 220pF @ 40V FET功能 - 功耗（最大值） 2.9W (Ta), 18W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-WDFN (3.3x3.3) 包裝/箱 8-PowerWDFN |
