Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

NVMFS6H800NWFT1G數據表

NVMFS6H800NWFT1G數據表
總頁數: 6
大小: 137.71 KB
ON Semiconductor
此數據表涵蓋了2零件號: NVMFS6H800NWFT1G, NVMFS6H800NT1G
NVMFS6H800NWFT1G數據表 頁面 1
NVMFS6H800NWFT1G數據表 頁面 2
NVMFS6H800NWFT1G數據表 頁面 3
NVMFS6H800NWFT1G數據表 頁面 4
NVMFS6H800NWFT1G數據表 頁面 5
NVMFS6H800NWFT1G數據表 頁面 6
NVMFS6H800NWFT1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

Automotive, AEC-Q101

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Ta), 203A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 330µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

85nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5530pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

包裝/箱

8-PowerTDFN, 5 Leads

NVMFS6H800NT1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

Automotive, AEC-Q101

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Ta), 203A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 330µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

85nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5530pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

包裝/箱

8-PowerTDFN, 5 Leads