NTZS3151PT1H數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 860mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 5.6nC @ 4.5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 458pF @ 16V FET功能 - 功耗（最大值） 170mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-563-6 包裝/箱 SOT-563, SOT-666 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 860mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 5.6nC @ 4.5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 458pF @ 16V FET功能 - 功耗（最大值） 170mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-563 包裝/箱 SOT-563, SOT-666 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 860mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 5.6nC @ 4.5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 458pF @ 16V FET功能 - 功耗（最大值） 170mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-563 包裝/箱 SOT-563, SOT-666 |
