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NTR3162PT3G數據表

NTR3162PT3G數據表
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ON Semiconductor
此數據表涵蓋了2零件號: NTR3162PT3G, NTR3162PT1G
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NTR3162PT3G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

940pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

480mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-23-3 (TO-236)

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

NTR3162PT1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

940pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

480mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-23-3 (TO-236)

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3