NSVT65010MW6T1G數據表
NSVT65010MW6T1G數據表
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ON Semiconductor
此數據表涵蓋了2零件號:
NSVT65010MW6T1G, NST65010MW6T1G
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 2 PNP (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 65V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值） 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 220 @ 2mA, 5V 功率-最大 380mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-88 (SOT-363) |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 2 PNP (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 65V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值） 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 220 @ 2mA, 5V 功率-最大 380mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-88 (SOT-363) |
