NSVS50030SB3T1G數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 * 晶體管類型 - 當前-集電極（Ic）（最大值） - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） - 電阻-基本（R1） - 電阻-發射極基（R2） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic - 當前-集電極截止（最大值） - 頻率-過渡 - 功率-最大 - 安裝類型 - 包裝/箱 - 供應商設備包裝 - |
制造商 ON Semiconductor 系列 Automotive, AEC-Q101 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 210mV @ 100mA, 2A 當前-集電極截止（最大值） 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 200 @ 100mA, 2V 功率-最大 1.1W 頻率-過渡 380MHz 工作溫度 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 3-CPH |
