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NSV40200UW6T1G數據表

NSV40200UW6T1G數據表
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ON Semiconductor
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NSV40200UW6T1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 20mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 1A, 2V

功率-最大

875mW

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-WDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

6-WDFN (2x2)

NSS40200UW6T1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 20mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 1A, 2V

功率-最大

875mW

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-WDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

6-WDFN (2x2)