NSS12501UW3T2G數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 12V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 120mV @ 400mA, 4A 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 200 @ 2A, 2V 功率-最大 875mW 頻率-過渡 150MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 3-WDFN Exposed Pad 供應商設備包裝 3-WDFN (2x2) |
