NSM80101MT1G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN + Diode (Isolated) 當前-集電極（Ic）（最大值） 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值） 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 120 @ 10mA, 1V 功率-最大 400mW 頻率-過渡 150MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-74, SOT-457 供應商設備包裝 SC-74 |
