NP100P06PDG-E1-AY數據表
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Renesas Electronics America
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NP100P06PDG-E1-AY
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制造商 Renesas Electronics America 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 6mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 300nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 15000pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 1.8W (Ta), 200W (Tc) 工作溫度 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TO-263 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
