NGTD21T65F2WP數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 650V 當前-集電極（Ic）（最大值） - 電流-集電極脈沖（Icm） 200A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 1.9V @ 15V, 45A 功率-最大 - 開關能量 - 輸入類型 Standard 門禁費用 - 25°C時的Td（開/關） - 測試條件 - 反向恢復時間（trr） - 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 Die 供應商設備包裝 Die |
制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 650V 當前-集電極（Ic）（最大值） - 電流-集電極脈沖（Icm） 200A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 1.9V @ 15V, 45A 功率-最大 - 開關能量 - 輸入類型 Standard 門禁費用 - 25°C時的Td（開/關） - 測試條件 - 反向恢復時間（trr） - 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 Die 供應商設備包裝 Die |
