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NGTB25N120LWG數據表

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ON Semiconductor
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NGTB25N120LWG

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 25A

功率-最大

192W

開關能量

3.4mJ (on), 800µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

89ns/235ns

測試條件

600V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247