Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

NDBA100N10BT4H數據表

NDBA100N10BT4H數據表
總頁數: 5
大小: 649.8 KB
ON Semiconductor
此數據表涵蓋了1零件號: NDBA100N10BT4H
NDBA100N10BT4H數據表 頁面 1
NDBA100N10BT4H數據表 頁面 2
NDBA100N10BT4H數據表 頁面 3
NDBA100N10BT4H數據表 頁面 4
NDBA100N10BT4H數據表 頁面 5
NDBA100N10BT4H

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V, 15V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.9mOhm @ 50A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2950pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D²PAK (TO-263)

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB