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MUR20060CTR數據表

MUR20060CTR數據表
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GeneSiC Semiconductor
此數據表涵蓋了4零件號: MUR20060CTR, MUR20060CT, MUR20040CTR, MUR20040CT
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MUR20060CTR

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Anode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 50A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

110ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 50V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower

MUR20060CT

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 50A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

110ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 50V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower

MUR20040CTR

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Anode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 50A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

90ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 50V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower

MUR20040CT

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 50A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

90ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 50V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower