MT48H32M16LFBF-6:B TR數據表
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制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小 512Mb (32M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 5ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-VFBGA 供應商設備包裝 54-VFBGA (6x9) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小 512Mb (32M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 5ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-VFBGA 供應商設備包裝 54-VFBGA (6x9) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小 512Mb (16M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 5ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-VFBGA 供應商設備包裝 90-VFBGA (10x13) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小 512Mb (16M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 5ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-VFBGA 供應商設備包裝 90-VFBGA (10x13) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小 512Mb (16M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 5ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-VFBGA 供應商設備包裝 90-VFBGA (10x13) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小 512Mb (16M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 5ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-VFBGA 供應商設備包裝 90-VFBGA (10x13) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小 512Mb (16M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 5ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-VFBGA 供應商設備包裝 90-VFBGA (10x13) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小 512Mb (32M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-VFBGA 供應商設備包裝 54-VFBGA (6x9) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小 512Mb (32M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-VFBGA 供應商設備包裝 54-VFBGA (6x9) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小 512Mb (16M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-VFBGA 供應商設備包裝 90-VFBGA (10x13) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小 512Mb (16M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-VFBGA 供應商設備包裝 90-VFBGA (10x13) |
