MT47H512M4THN-25E:M數據表
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Micron Technology Inc.
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MT47H512M4THN-25E:M, MT47H512M4THN-25E:M TR
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制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR2 內存大小 2Gb (512M x 4) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 400MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 400ps 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 63-TFBGA 供應商設備包裝 63-FBGA (8x10) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR2 內存大小 2Gb (512M x 4) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 400MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 400ps 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 63-TFBGA 供應商設備包裝 63-FBGA (8x10) |
