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MMJT9435T3G數據表

MMJT9435T3G數據表
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ON Semiconductor
此數據表涵蓋了4零件號: MMJT9435T3G, MMJT9435T3, MMJT9435T1G, MMJT9435T1
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MMJT9435T3G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 800mA, 1V

功率-最大

3W

頻率-過渡

110MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

供應商設備包裝

SOT-223

MMJT9435T3

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 800mA, 1V

功率-最大

3W

頻率-過渡

110MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

供應商設備包裝

SOT-223

MMJT9435T1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 800mA, 1V

功率-最大

3W

頻率-過渡

110MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

供應商設備包裝

SOT-223

MMJT9435T1

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 800mA, 1V

功率-最大

3W

頻率-過渡

110MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

供應商設備包裝

SOT-223