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MMIX1F180N25T數據表

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IXYS
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制造商

IXYS

系列

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

132A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

364nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

23800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

570W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

24-SMPD

包裝/箱

24-PowerSMD, 21 Leads