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MMBFJ110數據表

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ON Semiconductor
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MMBFJ110

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

10mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

18 Ohms

功率-最大

460mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SuperSOT-3