MJE5731數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 350V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 30 @ 300mA, 10V 功率-最大 40W 頻率-過渡 10MHz 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220AB |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 300V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 30 @ 300mA, 10V 功率-最大 40W 頻率-過渡 10MHz 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220AB |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 375V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 30 @ 300mA, 10V 功率-最大 40W 頻率-過渡 10MHz 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220AB |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 350V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 30 @ 300mA, 10V 功率-最大 40W 頻率-過渡 10MHz 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220AB |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 300V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 30 @ 300mA, 10V 功率-最大 40W 頻率-過渡 10MHz 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220AB |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 375V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 30 @ 300mA, 10V 功率-最大 40W 頻率-過渡 10MHz 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220AB |
