MJE2955T數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 8V @ 3.3A, 10A 當前-集電極截止（最大值） 700µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 20 @ 4A, 4V 功率-最大 75W 頻率-過渡 2MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220AB |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 8V @ 3.3A, 10A 當前-集電極截止（最大值） 700µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 20 @ 4A, 4V 功率-最大 75W 頻率-過渡 2MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220AB |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 8V @ 3.3A, 10A 當前-集電極截止（最大值） 700µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 20 @ 4A, 4V 功率-最大 75W 頻率-過渡 2MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220AB |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 8V @ 3.3A, 10A 當前-集電極截止（最大值） 700µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 20 @ 4A, 4V 功率-最大 75W 頻率-過渡 2MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220AB |
