MII150-12A4數據表
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制造商 IXYS 系列 - IGBT類型 NPT 配置 Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值） 180A 功率-最大 760W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.7V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值） 7.5mA 輸入電容（Cies）@ Vce 6.6nF @ 25V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Y3-DCB 供應商設備包裝 Y3-DCB |
制造商 IXYS 系列 - IGBT類型 NPT 配置 Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值） 180A 功率-最大 760W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.7V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值） 7.5mA 輸入電容（Cies）@ Vce 6.6nF @ 25V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Y3-DCB 供應商設備包裝 Y3-DCB |
制造商 IXYS 系列 - IGBT類型 NPT 配置 Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值） 180A 功率-最大 760W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.7V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值） 7.5mA 輸入電容（Cies）@ Vce 6.6nF @ 25V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Y3-DCB 供應商設備包裝 Y3-DCB |
