MD8003數據表
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制造商 Central Semiconductor Corp 系列 - 晶體管類型 2 NPN (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 30mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic - 當前-集電極截止（最大值） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 100 @ 1mA, 10V 功率-最大 - 頻率-過渡 260MHz 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-78-6 Metal Can 供應商設備包裝 TO-78-6 |
制造商 Central Semiconductor Corp 系列 - 晶體管類型 2 NPN (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 30mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic - 當前-集電極截止（最大值） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 100 @ 1mA, 10V 功率-最大 - 頻率-過渡 260MHz 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-78-6 Metal Can 供應商設備包裝 TO-78-6 |
制造商 Central Semiconductor Corp 系列 - 晶體管類型 2 PNP (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic - 當前-集電極截止（最大值） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 40 @ 100µA, 10V 功率-最大 - 頻率-過渡 200MHz 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-78-6 Metal Can 供應商設備包裝 TO-78-6 |
制造商 Central Semiconductor Corp 系列 - 晶體管類型 2 PNP (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic - 當前-集電極截止（最大值） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 40 @ 100µA, 10V 功率-最大 - 頻率-過渡 200MHz 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-78-6 Metal Can 供應商設備包裝 TO-78-6 |
制造商 Central Semiconductor Corp 系列 - 晶體管類型 2 PNP (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic - 當前-集電極截止（最大值） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 40 @ 100µA, 10V 功率-最大 - 頻率-過渡 200MHz 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-78-6 Metal Can 供應商設備包裝 TO-78-6 |
制造商 Central Semiconductor Corp 系列 - 晶體管類型 2 PNP (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic - 當前-集電極截止（最大值） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 40 @ 300mA, 30V 功率-最大 - 頻率-過渡 200MHz 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-78-6 Metal Can 供應商設備包裝 TO-78-6 |
制造商 Central Semiconductor Corp 系列 - 晶體管類型 2 NPN (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic - 當前-集電極截止（最大值） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 40 @ 300mA, 30V 功率-最大 - 頻率-過渡 200MHz 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-78-6 Metal Can 供應商設備包裝 TO-78-6 |
制造商 Central Semiconductor Corp 系列 - 晶體管類型 2 NPN (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 12V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic - 當前-集電極截止（最大值） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 25 @ 3mA, 1V 功率-最大 - 頻率-過渡 900MHz 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-78-6 Metal Can 供應商設備包裝 TO-78-6 |
制造商 Central Semiconductor Corp 系列 - 晶體管類型 2 PNP (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic - 當前-集電極截止（最大值） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 100 @ 150mA, 10V 功率-最大 - 頻率-過渡 200MHz 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-78-6 Metal Can 供應商設備包裝 TO-78-6 |
制造商 Central Semiconductor Corp 系列 - 晶體管類型 2 PNP (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic - 當前-集電極截止（最大值） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 100 @ 150mA, 10V 功率-最大 - 頻率-過渡 200MHz 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-78-6 Metal Can 供應商設備包裝 TO-78-6 |
制造商 Central Semiconductor Corp 系列 - 晶體管類型 2 NPN (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic - 當前-集電極截止（最大值） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 40 @ 10mA, 1V 功率-最大 - 頻率-過渡 500MHz 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-78-6 Metal Can 供應商設備包裝 TO-78-6 |
制造商 Central Semiconductor Corp 系列 - 晶體管類型 2 NPN (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic - 當前-集電極截止（最大值） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 40 @ 10mA, 1V 功率-最大 - 頻率-過渡 500MHz 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-78-6 Metal Can 供應商設備包裝 TO-78-6 |
