MD51V65165E-50TAZ0AR數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 DRAM 內存大小 64Mb (4M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 84ns 訪問時間 25ns 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 50-TSOP II |
