KSD526O數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1.5V @ 300mA, 3A 當前-集電極截止（最大值） 30µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 70 @ 500mA, 5V 功率-最大 30W 頻率-過渡 8MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1.5V @ 300mA, 3A 當前-集電極截止（最大值） 30µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 70 @ 500mA, 5V 功率-最大 30W 頻率-過渡 8MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1.5V @ 300mA, 3A 當前-集電極截止（最大值） 30µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 120 @ 500mA, 5V 功率-最大 30W 頻率-過渡 8MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1.5V @ 300mA, 3A 當前-集電極截止（最大值） 30µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 120 @ 500mA, 5V 功率-最大 30W 頻率-過渡 8MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
