KSB810YTA數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 700mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 400mV @ 70mA, 700mA 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 120 @ 100mA, 1V 功率-最大 350mW 頻率-過渡 160MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝 TO-92S |
