KSA642CYBU數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 300mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 25V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 600mV @ 30mA, 300mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 120 @ 50mA, 1V 功率-最大 400mW 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 300mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 25V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 600mV @ 30mA, 300mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 120 @ 50mA, 1V 功率-最大 400mW 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 300mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 25V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 600mV @ 30mA, 300mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 70 @ 50mA, 1V 功率-最大 400mW 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 300mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 25V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 600mV @ 30mA, 300mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 200 @ 50mA, 1V 功率-最大 400mW 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 300mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 25V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 600mV @ 30mA, 300mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 120 @ 50mA, 1V 功率-最大 400mW 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 300mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 25V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 600mV @ 30mA, 300mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 70 @ 50mA, 1V 功率-最大 400mW 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
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