KA317MTU數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 輸出配置 Positive 輸出類型 Adjustable 調節器數量 1 電壓-輸入（最大值） 40V 電壓-輸出（最小/固定） 1.2V 電壓-輸出（最大值） 37V 電壓降（最大值） - 電流-輸出 500mA 當前-靜態（Iq） - 電流-電源（最大值） - PSRR 80dB ~ 65dB (120Hz) 控件功能 - 保護功能 Over Temperature, Short Circuit 工作溫度 0°C ~ 125°C 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 輸出配置 Positive 輸出類型 Adjustable 調節器數量 1 電壓-輸入（最大值） 40V 電壓-輸出（最小/固定） 1.2V 電壓-輸出（最大值） 37V 電壓降（最大值） - 電流-輸出 500mA 當前-靜態（Iq） - 電流-電源（最大值） - PSRR 80dB ~ 65dB (120Hz) 控件功能 - 保護功能 Over Temperature, Short Circuit 工作溫度 0°C ~ 125°C 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 輸出配置 Positive 輸出類型 Fixed 調節器數量 1 電壓-輸入（最大值） 35V 電壓-輸出（最小/固定） 10V 電壓-輸出（最大值） - 電壓降（最大值） - 電流-輸出 1A 當前-靜態（Iq） - 電流-電源（最大值） - PSRR - 控件功能 - 保護功能 Over Temperature, Short Circuit 工作溫度 0°C ~ 125°C 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 輸出配置 Positive 輸出類型 Fixed 調節器數量 1 電壓-輸入（最大值） 35V 電壓-輸出（最小/固定） 10V 電壓-輸出（最大值） - 電壓降（最大值） - 電流-輸出 1A 當前-靜態（Iq） - 電流-電源（最大值） - PSRR - 控件功能 - 保護功能 Over Temperature, Short Circuit 工作溫度 0°C ~ 125°C 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 輸出配置 Positive 輸出類型 Fixed 調節器數量 1 電壓-輸入（最大值） 35V 電壓-輸出（最小/固定） 10V 電壓-輸出（最大值） - 電壓降（最大值） - 電流-輸出 1A 當前-靜態（Iq） - 電流-電源（最大值） - PSRR - 控件功能 - 保護功能 Over Temperature, Short Circuit 工作溫度 0°C ~ 125°C 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 輸出配置 Positive 輸出類型 Fixed 調節器數量 1 電壓-輸入（最大值） 35V 電壓-輸出（最小/固定） 10V 電壓-輸出（最大值） - 電壓降（最大值） 2V @ 1A (Typ) 電流-輸出 1A 當前-靜態（Iq） 8mA 電流-電源（最大值） - PSRR 71dB (120Hz) 控件功能 - 保護功能 Over Temperature, Short Circuit 工作溫度 -40°C ~ 125°C 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 330V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs - Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220-3 包裝/箱 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 330V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs - Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220-3 包裝/箱 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 QFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 9.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 360mOhm @ 4.75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 26nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 510pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 72W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220-3 包裝/箱 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic - 當前-集電極截止（最大值） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce - 功率-最大 - 頻率-過渡 - 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 440V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 400mV @ 800mA, 2.5A 當前-集電極截止（最大值） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 7 @ 2.5A, 2V 功率-最大 50W 頻率-過渡 4MHz 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 7A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 500mV @ 500mA, 5A 當前-集電極截止（最大值） 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 40 @ 3A, 1V 功率-最大 1.5W 頻率-過渡 - 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
