JFTJ105數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 25V 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 500mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 4.5V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 電阻-RDS（On） 3 Ohms 功率-最大 1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝 SOT-223-4 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 25V 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 100mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 500mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 電阻-RDS（On） 8 Ohms 功率-最大 625mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 25V 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 100mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 500mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 電阻-RDS（On） 8 Ohms 功率-最大 625mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 25V 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 500mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 4.5V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 電阻-RDS（On） 3 Ohms 功率-最大 625mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 25V 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 200mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 2V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 電阻-RDS（On） 6 Ohms 功率-最大 625mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 25V 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 500mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 4.5V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 電阻-RDS（On） 3 Ohms 功率-最大 625mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 25V 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 200mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 2V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 電阻-RDS（On） 6 Ohms 功率-最大 625mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 25V 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 500mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 4.5V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 電阻-RDS（On） 3 Ohms 功率-最大 625mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
