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IXFX200N10P數據表

IXFX200N10P數據表
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IXYS
此數據表涵蓋了2零件號: IXFX200N10P, IXFK200N10P
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制造商

IXYS

系列

HiPerFET™, PolarP2™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

235nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

830W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PLUS247™-3

包裝/箱

TO-247-3

制造商

IXYS

系列

HiPerFET™, PolarP2™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

235nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

830W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-264AA (IXFK)

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA