IXFR200N10P數據表
IXYS 制造商 IXYS 系列 HiPerFET™, PolarP2™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 100V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 133A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 9mOhm @ 100A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 5V @ 8mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 235nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 7600pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 300W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 ISOPLUS247™ 包裝/箱 ISOPLUS247™ |