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IXFN360N10T數據表

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IXYS
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制造商

IXYS

系列

HiPerFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

360A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 180A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

505nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

36000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

830W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

SOT-227B

包裝/箱

SOT-227-4, miniBLOC