IXFK24N100F數據表
IXYS-RF 制造商 IXYS-RF 系列 HiPerRF™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 1000V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 24A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 390mOhm @ 12A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 5.5V @ 8mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 195nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 6600pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 560W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-264 (IXFK) 包裝/箱 TO-264-3, TO-264AA |
IXYS-RF 制造商 IXYS-RF 系列 HiPerRF™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 1000V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 24A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 390mOhm @ 12A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 5.5V @ 8mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 195nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 6600pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 560W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 PLUS247™-3 包裝/箱 TO-247-3 |