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IS42SM16200D-75BLI-TR數據表

IS42SM16200D-75BLI-TR數據表
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS42SM16200D-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile

內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TFBGA

供應商設備包裝

54-TFBGA (8x8)

IS42SM16200D-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile

內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TFBGA

供應商設備包裝

54-TFBGA (8x8)

IS42VM16200D-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile

內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TFBGA

供應商設備包裝

54-TFBGA (8x8)

IS42VM16200D-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile

內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TFBGA

供應商設備包裝

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IS42RM16200D-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile

內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TFBGA

供應商設備包裝

54-TFBGA (8x8)

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制造商

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系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile

內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TFBGA

供應商設備包裝

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制造商

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系列

-

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Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile

內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile

內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

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訪問時間

6ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile

內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

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訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile

內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

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-

訪問時間

6ns

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IS42RM16200D-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile

內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

54-TFBGA (8x8)

IS42SM16200D-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

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系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile

內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

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-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TFBGA

供應商設備包裝

54-TFBGA (8x8)