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Infineon Technologies
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IRLMS4502TR

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1820pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.7W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

Micro6™(TSOP-6)

包裝/箱

SOT-23-6