IRLML6302TR數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 780mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.7V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 600mOhm @ 610mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 3.6nC @ 4.45V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 97pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 540mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 Micro3™/SOT-23 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
