Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

IRL5602STRLPBF數據表

IRL5602STRLPBF數據表
總頁數: 10
大小: 238.6 KB
Infineon Technologies
此數據表涵蓋了3零件號: IRL5602STRLPBF, IRL5602STRRPBF, IRL5602SPBF
IRL5602STRLPBF數據表 頁面 1
IRL5602STRLPBF數據表 頁面 2
IRL5602STRLPBF數據表 頁面 3
IRL5602STRLPBF數據表 頁面 4
IRL5602STRLPBF數據表 頁面 5
IRL5602STRLPBF數據表 頁面 6
IRL5602STRLPBF數據表 頁面 7
IRL5602STRLPBF數據表 頁面 8
IRL5602STRLPBF數據表 頁面 9
IRL5602STRLPBF數據表 頁面 10
IRL5602STRLPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1460pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRL5602STRRPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1460pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRL5602SPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1460pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB