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IRF7492TRPBF數據表

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Infineon Technologies
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IRF7492TRPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

79mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

59nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1820pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SO

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF7492PBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

79mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

59nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1820pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SO

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)