IPP65R660CFDAAKSA1數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 660mOhm @ 3.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4.5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 20nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 543pF @ 100V FET功能 - 功耗（最大值） 62.5W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 PG-TO220-3 包裝/箱 TO-220-3 |
