IPI052NE7N3 G數據表
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies 系列 OptiMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 75V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 80A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 5.2mOhm @ 80A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 3.8V @ 91µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 68nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 4750pF @ 37.5V FET功能 - 功耗(最大值) 150W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 PG-TO262-3 包裝/箱 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies 系列 OptiMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 75V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 80A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 5.2mOhm @ 80A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 3.8V @ 91µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 68nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 4750pF @ 37.5V FET功能 - 功耗(最大值) 150W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 PG-TO220-3-1 包裝/箱 TO-220-3 |