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IPD80R2K0P7ATMA1數據表

IPD80R2K0P7ATMA1數據表
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Infineon Technologies
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IPD80R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™ P7

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 940mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

175pF @ 500V

FET功能

-

功耗(最大值)

24W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-TO252-3

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63