Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

IPD06N03LA G數據表

IPD06N03LA G數據表
總頁數: 9
大小: 292.49 KB
Infineon Technologies
此數據表涵蓋了1零件號: IPD06N03LA G
IPD06N03LA G數據表 頁面 1
IPD06N03LA G數據表 頁面 2
IPD06N03LA G數據表 頁面 3
IPD06N03LA G數據表 頁面 4
IPD06N03LA G數據表 頁面 5
IPD06N03LA G數據表 頁面 6
IPD06N03LA G數據表 頁面 7
IPD06N03LA G數據表 頁面 8
IPD06N03LA G數據表 頁面 9
IPD06N03LA G

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2653pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-TO252-3

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63