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IMT1AT108數據表

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Rohm Semiconductor
此數據表涵蓋了4零件號: IMT1AT108, EMT1T2R, IMT1AT110, UMT1NTN
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IMT1AT108

Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74, SOT-457

供應商設備包裝

SMT6

EMT1T2R

Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

供應商設備包裝

EMT6

IMT1AT110

Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74, SOT-457

供應商設備包裝

SMT6

UMT1NTN

Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

UMT6