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HGT1S20N35G3VLS數據表

HGT1S20N35G3VLS數據表
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ON Semiconductor
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HGT1S20N35G3VLS

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

375V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 5V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

28.7nC

25°C時的Td(開/關)

-/15µs

測試條件

300V, 10A, 25Ohm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB