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HGT1S12N60A4S9A數據表

HGT1S12N60A4S9A數據表
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ON Semiconductor
此數據表涵蓋了3零件號: HGT1S12N60A4S9A, HGTP12N60A4, HGTG12N60A4
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HGT1S12N60A4S9A

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

54A

電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 12A

功率-最大

167W

開關能量

55µJ (on), 50µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

78nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/96ns

測試條件

390V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB

HGTP12N60A4

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

54A

電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 12A

功率-最大

167W

開關能量

55µJ (on), 50µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

78nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/96ns

測試條件

390V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3

HGTG12N60A4

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

54A

電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 12A

功率-最大

167W

開關能量

55µJ (on), 50µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

78nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/96ns

測試條件

390V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3